رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSB017N03LX3 G
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSB017N03LX3 G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 147A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
المخزون:
12799180
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSB017N03LX3 G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
32A (Ta), 147A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7800 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
MG-WDSON-2, CanPAK M™
العبوة / العلبة
3-WDSON
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
BSB017N03LX3 GDKR-DG
BSB017N03LX3GTR
BSB017N03LX3GXT
BSB017N03LX3 GCT
BSB017N03LX3 GTR-DG
BSB017N03LX3 GDKR
BSB017N03LX3GCT
BSB017N03LX3 GCT-DG
BSB017N03LX3GDKR
BSB017N03LX3G
BSB017N03LX3 G-DG
SP000604468
BSB017N03LX3GXUMA1
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSB013NE2LXIXUMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
BSB013NE2LXIXUMA1-DG
سعر الوحدة
1.85
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSC900N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
BSL305SPEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 5.3A TSOP-6
BSC050N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 16A/80A TDSON
